製品概要｜原子層堆積（ALD）装置

原子層堆積（ALD）装置

ALD（Atomic Layer Deposition)は原子層堆積法と呼ばれ、単原子層を1層ずつ堆積するサイクルを繰り返すことで薄膜を形成する成膜技術です。

MEMSをはじめとする高アスペクト比の3次元デバイスに対しても回り込みよく、ピンホールのない均一なナノ薄膜が形成可能です。

高アスペクト比構造デバイスにおけるPｔ電極・Al₂O₃バリア層の連続成膜

周期的マイクロキャビティ構造へのPtコーティング

SF₆ガスによるシリコン等方性エッチングにおけるBCBバリア層

原子層堆積（ALD）装置TFALL-201

【対応膜種】Al₂O₃　※順次対応予定

【サンプルサイズ】2インチ

【寸法】1060×690×1475（幅×奥行×高さ）

【対応膜種】Al₂O₃, Pt, Hf

【サンプルサイズ】2インチ

【寸法】1900×850×1380（幅×奥行×高さ）　

【寸法】150×410×384（幅×奥行×高さ）

プリカーサー容器TFA-B60/180

【材質】透明ガラス製

【容量】60/180（ml）