原子層堆積（ALD）装置
成膜ユニット TFALD-201
ALD（Atomic Layer Deposition)は原子層堆積法と呼ばれ、単原子層を1層ずつ堆積するサイクルを繰り返すことで薄膜を形成する成膜技術です。
MEMSをはじめとする高アスペクト比の3次元構造に対しても回り込み良く、ピンホールのない均一なナノ薄膜が形成可能です。
【対応膜種】Al2O3Pt,Hf※構成によりますので、お問い合わせください。
特徴
- 反応室とプリカーサー供給部を別ユニット化。供給ユニットを追加するだけで１台の反応室から多品種のALD成膜に対応します。
- 原料供給配管から排気経路まで、すべての配管温度を個別にコントロールし、配管内への原料堆積を低減します。
- 定常＆瞬間パージによるデュアルパージシステムを採用し、原料ガスを効率よく排出します。
- 反応炉には石英ガラス製の円筒管を採用し、簡単に取り外し・交換メンテナンスが可能です。
- 成膜ユニットでは主に以下の機構を一体としたものとなります。
- 成膜をおこなう反応室
- パージおよびキャリアガス系の供受給システム
- 排ガス除害機構
基本仕様
| 型式 | TFALD-201 |
|---|---|
| 対応膜種 |
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| 基板サイズ | ø2インチ 2枚 |
| 基板温度 | MAX300℃ |
| ユニット最大接続数 | 9ユニット |
| 原料ユニット | 標準：1~6種類 |
| 反応ガスユニット | 標準：1~3種類 |
| キャリアガス |
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| パージガス |
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| 排ガス除害 | 熱分解方式 |
| 排気ポンプ |
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| ユーティリティー |
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| 入力電源 | 単相100V 50/60Hz 最大50A |
| 外形寸法（幅×奥行×高さ） | 1900×850×1380mm |
| 付属品 |
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| オプション品（別売） |
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