原子層堆積(ALD)装置

原子層堆積装置 TFALL-201

ALD(Atomic Layer Deposition)は原子層堆積法と呼ばれ、単原子層を1層ずつ堆積するサイクルを繰り返すことで薄膜を形成する成膜技術です。

MEMSをはじめとする高アスペクト比の3次元構造に対しても回り込み良く、ピンホールのない均一なナノ薄膜が形成可能です。

【対応膜種】Al2O3

特徴

  • ALD成膜品種を1種類に限定し、装置構成を簡略化。導入コストの軽減に貢献します。
  • 原料供給配管から排気経路まで、すべての配管温度を個別にコントロールし、配管内への原料堆積を低減します。
  • 定常&瞬間パージによるデュアルパージシステムを採用し、原料ガスを効率よく排出します。
  • 反応室には石英ガラス製の円筒管を採用、清掃・交換メンテナンスが可能です。
  • 主に以下の機構を一体としたものとなります。
    1. 成膜反応室
    2. プリカーサー供給系
    3. パージおよびキャリアガスの供受給システム

基本仕様

型式 TFALL-201
対応膜種
  • Al3O2
  • ※順次対応予定
基板サイズ ø2インチ 2枚
基板温度 MAX300℃
キャリアガス
  • 窒素 N2
  • 流量制御
  • ※パージガスと共用
パージガス
  • 窒素 N2
  • 流量制御
  • ※キャリアガスと共用
排気ポンプ 油回転真空ポンプ
ユーティリティー
  • ガス供給口:UJR6.35N
  • 圧縮空気:ø8ワンタッチ管継手
入力電源 単相100V-50/60Hz 最大40A
外形寸法(幅×奥行×高さ) 1060×690×1475mm ※突起物を除く
付属品 制御ソフトウェア(Windows専用)
オプション品(別売)
  • 排気ガス除害ユニット(熱分解式)
  • プラズマアシストユニット
  • 無停電電源装置(UPS)
  • タッチパネル型制御コントローラー

制御ソフトウェア
必須動作環境

OS
  • Windows®10
  • Windows®8.1
  • Windows®7
  • ※日本語版のみ対応
メモリ容量 2GB以上
ディスク空き容量 12GB以上
ディスプレイ full HD (1920×1080p)
インターフェイス 100BASE-TX/10BASE-T
光学ドライブ アプリケーションのインストールに必要
インターネット接続環境 アプリケーションのインストールに必要
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